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VS-GB100TH120U Spécifications techniques

IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Modules
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Double INT-A-PAK
Package / Case Double INT-A-PAK (3 + 4)
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 8.45nF @ 20V
IGBT Type NPT
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 100A
Power - Max 1136W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Configuration Half Bridge
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VS-GB100TH120U fabricants de marques: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip action, VS-GB100TH120U prix de référence. VS-GB100TH120U paramètres, VS-GB100TH120U Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le VS-GB100TH120U Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver VS-GB100TH120U schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, VS-GB100TH120U tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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