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VS-GBPC2510W Spécifications techniques
RECT BRIDGE 1-PH 1000V 25A GBPCW
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Ponts Redresseurs |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1000V |
Technology | Standard |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
Supplier Device Package | GBPC-W |
Package / Case | 4-Square, GBPC-W |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Average Rectified (Io) | 25A |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
VS-GB05XP120KTPBF | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistors - IGBT - Modules | 2534 |
VS-GB05XP120KTPBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - IGBT - Modules | 2677 |
VS-GB05XP120KTPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | Modules IGBT | |
VS-GB100DA60UP | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - IGBT - Modules | 0 |
VS-GB100DA60UP | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistors - IGBT - Modules | 2778 |
VS-GB100DA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | Modules IGBT | |
VS-GB100LH120N | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistors - IGBT - Modules | 2689 |
VS-GB100LH120N | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - IGBT - Modules | 2631 |
VS-GB100LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | Modules IGBT | |
VS-GB100LP120N | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - IGBT - Modules | 2567 |
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