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VS-GT100TP60N Spécifications techniques
IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Modules |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Supplier Device Package | INT-A-PAK |
Package / Case | INT-A-PAK (3 + 4) |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 7.71nF @ 30V |
IGBT Type | Trench |
Current - Collector (Ic) (Max) | 160A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Power - Max | 417W |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
Configuration | Half Bridge |
VS-GT100TP60N Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
VS-GT100DA120U | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - IGBT - Modules | 0 |
VS-GT100DA120U | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistors - IGBT - Modules | 2716 |
VS-GT100DA120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | Modules IGBT | |
VS-GT100DA120UF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - IGBT - Modules | 2536 |
VS-GT100DA120UF | Vishay Semiconductor Diodes Division | Modules IGBT | |
VS-GT100DA60U | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistors - IGBT - Modules | 2615 |
VS-GT100DA60U | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - IGBT - Modules | 2530 |
VS-GT100DA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | Modules IGBT | |
VS-GT100LA120UX | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistors - IGBT - Modules | 2637 |
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