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2N6661JTVP02 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Supplier Device Package TO-39
Power Dissipation (Max) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 860mA (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 90V
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