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2N6661JTXP02
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2N6661JTXP02 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Supplier Device Package | TO-39 |
Power Dissipation (Max) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860mA (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 1A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 90V |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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2N6660-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 0 |
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