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IRFS9N60A Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 170W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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IRFS9N60A fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, IRFS9N60A prix de référence. IRFS9N60A paramètres, IRFS9N60A Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRFS9N60A Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRFS9N60A schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRFS9N60A tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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