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IRLI640G Spécifications techniques

MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220-3
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.9A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 5.9A, 5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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IRLI640G fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, IRLI640G prix de référence. IRLI640G paramètres, IRLI640G Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IRLI640G Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IRLI640G schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IRLI640G tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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