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SI1011X-T1-GE3
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SI1011X-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 12V SC-89
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 190mW (Ta) |
Package / Case | SC-89, SOT-490 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±5V |
Supplier Device Package | SC-89-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 640 mOhm @ 400mA, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 62pF @ 6V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
SI1011X-T1-GE3 Documents
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