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SI1058X-T1-E3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package SC-89-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 91 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 236mW (Ta)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.9nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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