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SI1317DL-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SOT-323
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 272pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
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SI1317DL-T1-GE3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SI1317DL-T1-GE3 prix de référence. SI1317DL-T1-GE3 paramètres, SI1317DL-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI1317DL-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI1317DL-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI1317DL-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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