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SI2311DS-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 8V 3A SOT23

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Supplier Device Package SOT-23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 970pF @ 4V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 710mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
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SI2311DS-T1-GE3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SI2311DS-T1-GE3 prix de référence. SI2311DS-T1-GE3 paramètres, SI2311DS-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI2311DS-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI2311DS-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI2311DS-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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