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SI2312CDS-T1-GE3
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SI2312CDS-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±8V |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31.8 mOhm @ 5A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 865pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
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