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SI2321DS-T1-GE3
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SI2321DS-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 715pF @ 6V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 710mW (Ta) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) |
SI2321DS-T1-GE3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SI2320DS | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 30000 |
SI2320DS-T1 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 2098 |
SI2320DS-T1-E3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 3484 |
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SI2320DS-T1-GE3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 3343 |
SI2320DS-T1-GE3 @@ | 69K | Circuits intégrés spécialisés | 2736 |
SI2321 | KF | Circuits intégrés spécialisés | 120500 |
SI2321-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2739 |
SI2321-TP | Micro Commercial Co | Transistors MOSFET simples | |
SI2321/CJ2321 | Original | Circuits intégrés spécialisés | 24500 |
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