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SI3451DV-T1-E3
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SI3451DV-T1-E3 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
SI3451DV-T1-E3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SI3450-GM | SILICON | Circuits intégrés spécialisés | 2587 |
SI3451DV-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 23912 |
SI3451DV-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 16362 |
SI3451DV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3429 |
SI3452-B01-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | PMIC - Contrôleurs Power Over Ethernet (PoE) | 2611 |
SI3452-B01-GM | Silicon Labs | Contrôleurs PoE | |
SI3452-B01-IM | Energy Micro (Silicon Labs) | PMIC - Contrôleurs Power Over Ethernet (PoE) | 2660 |
SI3452-B01-IM | Silicon Labs | Contrôleurs PoE | |
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SI3452-B02-GM | Silicon Labs | Contrôleurs PoE |
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