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SI3499DV-T1-E3
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SI3499DV-T1-E3 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 250µA |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Ta) |
SI3499DV-T1-E3 Documents
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