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SI4490DY-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.85A (Ta)
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SI4490DY-T1-GE3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SI4490DY-T1-GE3 prix de référence. SI4490DY-T1-GE3 paramètres, SI4490DY-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI4490DY-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI4490DY-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI4490DY-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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