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SI4501ADY-T1-GE3
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SI4501ADY-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.3W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A, 4.1A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 8.8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N and P-Channel, Common Drain |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 8V |
SI4501ADY-T1-GE3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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SI4500BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
SI4500BDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2555 |
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