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SI4660DY-T1-E3
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SI4660DY-T1-E3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23.1A (Tc) |
SI4660DY-T1-E3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SI4660DY-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 21239 |
SI4660DY-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 8045 |
SI4660DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 8045 |
SI4662DY-T1-E3 | vishay | Circuits intégrés spécialisés | 5500 |
SI4662DY-T1-GE3 | V | Circuits intégrés spécialisés | 16112 |
SI4662DY-T1-GE3 MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 16268 |
Si4666DY-T1-E3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 39502 |
SI4666DY-T1-E3 MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 19048 |
SI4666DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 21779 |
SI4666DY-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 21779 |
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