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SI4829DY-T1-E3
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SI4829DY-T1-E3 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | LITTLE FOOT® |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
SI4829DY-T1-E3 Documents
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