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SI4940DY-T1-GE3
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SI4940DY-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.1W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 5.7A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
SI4940DY-T1-GE3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SI4940DY | VIS | Circuits intégrés spécialisés | 950 |
SI4940DY-T1 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 557 |
SI4940DY-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 43510 |
SI4940DY-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2887 |
SI4940DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
SI4940DY-T1-E3 IC | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 4819 |
SI4940DY-T1-E3 MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 16080 |
SI4940DY-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 3810 |
SI4940DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
SI4941EDY-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 37492 |
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