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SI5499DC-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 4V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 8V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
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SI5499DC-T1-GE3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SI5499DC-T1-GE3 prix de référence. SI5499DC-T1-GE3 paramètres, SI5499DC-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI5499DC-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI5499DC-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI5499DC-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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