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SI5858DU-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFet Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series LITTLE FOOT®
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
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