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SI5913DC-T1-GE3
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SI5913DC-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | LITTLE FOOT® |
Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±12V |
Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 84 mOhm @ 3.7A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SI5913DC-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3267 |
SI5913DC-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 6289 |
SI5913DC-T1-E3 MOS | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 3265 |
SI5913DC-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 18805 |
SI5915BDC-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 5000 |
SI5915BDC-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 5000 |
SI5915BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
SI5915BDC-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2683 |
SI5915BDC-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2748 |
SI5915BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays |
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