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SI6423DQ-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 400µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.05W (Ta)
Package / Case 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.2A (Ta)
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SI6423DQ-T1-GE3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SI6423DQ-T1-GE3 prix de référence. SI6423DQ-T1-GE3 paramètres, SI6423DQ-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI6423DQ-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI6423DQ-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI6423DQ-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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