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SI7119DN-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 666pF @ 50V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Tc)
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