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SI7812DN-T1-E3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 7.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 35V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
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SI7812DN-T1-E3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SI7812DN-T1-E3 prix de référence. SI7812DN-T1-E3 paramètres, SI7812DN-T1-E3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI7812DN-T1-E3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI7812DN-T1-E3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI7812DN-T1-E3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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