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SI7852DP-T1-E3
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SI7852DP-T1-E3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Ta) |
SI7852DP-T1-E3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SI7850ADP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 6382 |
SI7850DP | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 14685 |
SI7850DP-T1 | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 6494 |
SI7850DP-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 16786 |
SI7850DP-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5265 |
SI7850DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | Transistors MOSFET simples | |
SI7850DP-T1-E3 IC | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 3263 |
SI7850DP-T1-E3 MOS | VISHAT | Circuits intégrés spécialisés | 3738 |
SI7850DP-T1-E3. | VIS | Circuits intégrés spécialisés | 2682 |
SI7850DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5672 |
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