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SI7911DN-T1-E3
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SI7911DN-T1-E3 Spécifications techniques
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.3W |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
SI7911DN-T1-E3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SI7911DN | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 3421 |
SI7911DN-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 108342 |
SI7911DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
SI7911DN-T1-E3 MOSFETIGBTIC | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 9497 |
SI7911DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 56190 |
SI7911DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 3218 |
SI7911DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
SI7911DN-T1-GE3 MOSFETIGBTIC | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 3337 |
SI7911DN-T1-GE3 QFN8 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 3000 |
SI7913DN-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 4350 |
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