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SI8417DB-T2-E1 Spécifications techniques

MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Supplier Device Package 6-Micro Foot™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2220pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.9W (Ta), 6.57W (Tc)
Package / Case 6-MICRO FOOT™
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.5A (Tc)
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SI8417DB-T2-E1 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SI8417DB-T2-E1 prix de référence. SI8417DB-T2-E1 paramètres, SI8417DB-T2-E1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI8417DB-T2-E1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI8417DB-T2-E1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI8417DB-T2-E1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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