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SI8900EDB-T2-E1 Spécifications techniques

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1.1mA
Series TrenchFET®
Power - Max 1W
Package / Case 10-UFBGA, CSPBGA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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SI8900EDB-T2-E1 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SI8900EDB-T2-E1 prix de référence. SI8900EDB-T2-E1 paramètres, SI8900EDB-T2-E1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SI8900EDB-T2-E1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SI8900EDB-T2-E1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SI8900EDB-T2-E1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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