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SIA912DJ-T1-GE3
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SIA912DJ-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 6.5W |
Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 8V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 6V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 6338 |
SIA910EDJ-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 24129 |
SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
SIA910EDJ-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 572 |
SIA911ADJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2641 |
SIA911ADJ-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 32887 |
SIA911ADJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
SIA911ADJ-T5-GE3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 18412 |
SIA911DJ-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 15420 |
SIA911DJ-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 9251 |
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