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SIB417AEDK-T1-GE3
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SIB417AEDK-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SC-75-6L |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±5V |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 3A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 878pF @ 4V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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