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SIE816DF-T1-E3
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SIE816DF-T1-E3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Supplier Device Package | 10-PolarPAK® (L) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4 mOhm @ 19.8A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 30V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Package / Case | 10-PolarPAK® (L) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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