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SIHG32N50D-E3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247AC
Power Dissipation (Max) 390W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 16A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2550pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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SIHG32N50D-E3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SIHG32N50D-E3 prix de référence. SIHG32N50D-E3 paramètres, SIHG32N50D-E3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SIHG32N50D-E3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SIHG32N50D-E3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SIHG32N50D-E3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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