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SIHG33N60E-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 16.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3508pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247AC
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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SIHG33N60E-GE3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SIHG33N60E-GE3 prix de référence. SIHG33N60E-GE3 paramètres, SIHG33N60E-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SIHG33N60E-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SIHG33N60E-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SIHG33N60E-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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