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SIHP12N65E-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1224pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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SIHP12N65E-GE3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SIHP12N65E-GE3 prix de référence. SIHP12N65E-GE3 paramètres, SIHP12N65E-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SIHP12N65E-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SIHP12N65E-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SIHP12N65E-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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