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SIHU5N50D-GE3
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SIHU5N50D-GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-251 |
Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
SIHU5N50D-GE3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SIHU5N50D-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2967 |
SIHU5N50D-E3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2862 |
SIHU5N50D-E3 | Vishay Siliconix | Transistors MOSFET simples | |
SIHU5N50D-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2501 |
SIHU5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | Transistors MOSFET simples |
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SIHU5N50D-GE3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SIHU5N50D-GE3 prix de référence. SIHU5N50D-GE3 paramètres, SIHU5N50D-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SIHU5N50D-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SIHU5N50D-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SIHU5N50D-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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