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SIR626DP-T1-RE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 100A SO8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 7.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5130pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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SIR626DP-T1-RE3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SIR626DP-T1-RE3 prix de référence. SIR626DP-T1-RE3 paramètres, SIR626DP-T1-RE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SIR626DP-T1-RE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SIR626DP-T1-RE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SIR626DP-T1-RE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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