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SIR664DP-T1-GE3
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SIR664DP-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 20A, 10V |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 30V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
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