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SISA96DN-T1-GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 26.5W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -16V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1385pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
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SISA96DN-T1-GE3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SISA96DN-T1-GE3 prix de référence. SISA96DN-T1-GE3 paramètres, SISA96DN-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SISA96DN-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SISA96DN-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SISA96DN-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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