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SQ2319ES-T1-GE3
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SQ2319ES-T1-GE3 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
SQ2319ES-T1-GE3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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SQ2310ES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3333 |
SQ2310ES-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3029 |
SQ2315ES | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 5243 |
SQ2315ES-T1-GE3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 184104 |
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SQ2319ES-T1-GE3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SQ2319ES-T1-GE3 prix de référence. SQ2319ES-T1-GE3 paramètres, SQ2319ES-T1-GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SQ2319ES-T1-GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SQ2319ES-T1-GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SQ2319ES-T1-GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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