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SQ4917EY-T1_GE3
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SQ4917EY-T1_GE3 Spécifications techniques
MOSFET ARRAY 2P-CH 60V 8SO
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power - Max | 5W (Tc) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 4.3A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TA) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1910pF @ 30V |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
SQ4917EY-T1_GE3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SQ4917EY-T1-E3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 10290 |
SQ4917EY-T1-GE3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 10521 |
SQ4917EY-T1-GE3 MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 10302 |
SQ4917EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays |
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