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SQJ412EP-T1_GE3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 10.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5950pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
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SQJ412EP-T1_GE3 fabricants de marques: Vishay / Siliconix, Bonchip action, SQJ412EP-T1_GE3 prix de référence. SQJ412EP-T1_GE3 paramètres, SQJ412EP-T1_GE3 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le SQJ412EP-T1_GE3 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver SQJ412EP-T1_GE3 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, SQJ412EP-T1_GE3 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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