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SQJ840EP-T1_GE3
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SQJ840EP-T1_GE3 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 10.3A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
SQJ840EP-T1_GE3 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
SQJ840DP-T1-GE3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 3413 |
SQJ840EP-T1-GE3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 1173 |
SQJ840EP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2603 |
SQJ840EPT1-GE3 | VISAHY | Circuits intégrés spécialisés | 8429 |
SQJ844AEP-T1-GE3 | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 1098 |
SQJ844AEP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2536 |
SQJ844AEP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Réseaux | 2508 |
SQJ844AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFETs Transistors Arrays | |
SQJ844EP-T1-GE3 | VISHAY | Circuits intégrés spécialisés | 681 |
SQJ844EPT1-GE3 | VISAHY | Circuits intégrés spécialisés | 9906 |
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