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SUD50P10-43L-GE3
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SUD50P10-43L-GE3 Spécifications techniques
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-252 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 9.2A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 50V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 8.3W (Ta), 136W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37.1A (Tc) |
SUD50P10-43L-GE3 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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