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SUP36N20-54P-E3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 20A, 15V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.12W (Ta), 166W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 127nC @ 15V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
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SUP36N20-54P-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Simple 2512

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