W632GG6MB11I Spécifications techniques

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Winbond Electronics Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - DDR3
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 95°C (TC)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 2Gb (128M x 16)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-VFBGA (13x7.5)
Access Time 20ns
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.425 V ~ 1.575 V
Supplier Device Package 96-VFBGA (13x7.5)
Package / Case 96-VFBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 933MHz
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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W632GG6AB-15 Winbond Electronics Corporation Mémoire 2739
W632GG6KB-09 Winbond Electronics Corporation Mémoire 2790
W632GG6KB-11 Winbond Electronics Corporation Mémoire 2680
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