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W947D6HBHX5E TR Spécifications techniques

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer Winbond Electronics Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 15ns
Technology SDRAM - Mobile LPDDR
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names W947D6HBHX5E CT W947D6HBHX5E CT-ND W947D6HBHX5ECT
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 200MHz
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.7 V ~ 1.95 V
Supplier Device Package 60-VFBGA (8x9)
Package / Case 60-TFBGA
Operating Temperature -25°C ~ 85°C (TC)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 128Mb (8M x 16)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
Access Time 5ns
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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W947D6HBHX5E TR fabricants de marques: Winbond Electronics Corporation, Bonchip action, W947D6HBHX5E TR prix de référence. W947D6HBHX5E TR paramètres, W947D6HBHX5E TR Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le W947D6HBHX5E TR Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver W947D6HBHX5E TR schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, W947D6HBHX5E TR tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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