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2N5772 Spécifications techniques
TRANS NPN 15V 0.3A TO-92
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 350mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 300mA 350mW Through Hole TO-92-3 |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Base Part Number | 2N5772 |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 3mA, 300mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Frequency - Transition | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 30mA, 400mV |
Current - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
2N5772 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
2N5770 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 47222 |
2N5770 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 47163 |
2N5770 | Central Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 1884 |
2N5770 | ON Semiconductor | Transistors RF BJT | |
2N5770 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Transistors RF BJT | |
2N5770_D26Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2583 |
2N5770_D26Z | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2608 |
2N5770_D26Z | ON Semiconductor | Transistors RF BJT | |
2N5770_D27Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2782 |
2N5770_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2720 |
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