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FCB199N65S3 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperFET® III
Power Dissipation (Max) 98W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 199 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1225pF @ 400V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 14A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
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